SicOzone

Reinigen & Entfernen von Photolacken mit Ozon

Die Einzigartigkeit von SicOzone liegt in seiner hohen Effizienz und der Fähigkeit, Chemikalien wie H₂SO₄ und H₂O₂ zu ersetzen. Das macht es zu einer herausragenden Wahl für die Halbleiterindustrie.

Merkmale & Vorteile

Partikel-Performance

<20 adders/>0,12μm

Metallkontamination

Al, Mg 5E10/others 2E10

Homogenität

< 1%

Nur Sauerstoff
Eleminiert Chemikalien

Verwendung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid nicht mehr notwendig

Reinigungseffizienz

>99%

SicOzone

Vorteile von Reinigung & Entfernung von Photolacken mit Ozon

SicOzone ermöglicht hervorragende Ergebnisse bei der Reinigung und Photolackentfernung in der Halbleiterindustrie. Einerseits sorgt der Einsatz von Ozon in Verbindung mit kleinen Mengen von Ammoniak, Salzsäure, Flusssäure und Wasser für eine hervorragende Reinigung. Andererseits wird Ozon beim Photolackentfernen eingesetzt, um Ressourcen zu schonen. Bei diesem Verfahren wird DI-Wasser mit gasförmigem Ozon kombiniert, um Photolack effektiv von der Waferoberfläche zu entfernen und ersetzt damit Chemikalien wie H₂SO₄ und H₂O₂ komplett.

Reduktion der Kosten pro Wafer
%
Steigerung des Durchsatzes
%
Verringerung des Chemikalienverbrauchs
%
Verringerung der Abfallbehandlung
%

*Im Vergleich zu herkömmlichen Verfahren

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SicOzone Strip

Photolack-Entfernung von Metallschichten

Das Ablösen des Fotolacks erfolgt mit Ozon, was eine nachhaltige Ressourcennutzung fördert.

SicOzone Strip

DI water & ozone

Dabei wird deionisiertes Wasser mit gasförmigem Ozon kombiniert, um den Photolack effektiv von der Waferoberfläche zu entfernen.

SicOzone Strip

Effiziente Entfernung von Photolacken

Zwei sich abwechselnde Schritte im Prozessablauf sorgen für eine effiziente Entfernung des Photolacks, wobei verschiedene Resisttypen berücksichtigt werden. Von Positiv- bis Negativlacken und von implantierten bis gestresstne Lacken.

SicOzone Strip

Entfernung maximieren

Darüber hinaus wird die Entfernung durch die Zugabe kleiner Mengen von Chemikalien in den DI-Wasserstrom erhöht, wodurch die Entfernungsrate maximiert wird.

SicOzone Clean FOEL

DHF-Schritt

Um Oxid im FEOL zu entfernen oder zu reduzieren, wird ein DHF-Schritt (Dilute Hydrofluoric Acid) durchgeführt. Mit der Inline-Spiking-Technologie sind DHF-Verhältnisse von 0,006% bis 0,15% möglich (49% HF).

SicOzone Clean FOEL

SC1-Schritt

Der Einsatz von Ammoniak, Ozon und DI-Wasser stellen eine Alternative zur Entfernung von organischen Rückständen der Wafer-Oberfläche dar. Das Verhältnis von DI-Wasser zu Ammoniak variiert von 50:1 bis 1000:1. Das bedeutet, dass sehr geringe Mengen Ammoniak in den DI-Wasserstrom eingebracht werden. Zusätzlich wird neben dem DI-Wasser-Ammoniak-Gemisch Ozon in Gasform eingebracht. Auf diese Weise wird die Effektivität direkt auf der Wafer-Oberfläche gesteigert.

SicOzone Clean

SC2-Schritt

Ähnlich wie bei der Entfernung von organischen Rückständen funktioniert auch die Reinigung von metallischen Rückständen. Die Mischung zur Reinigung metallischer Rückstände von der Wafer-Oberfläche besteht aus Salzsäure (HCl), Ozon und DI-Wasser. Das Verhältnis von DI-Wasser zu HCl variiert zwischen 300:1 bis 1000:1. Das bedeutet, dass sehr geringe Mengen HCl in den DI-Wasserstrom eingebracht werden. Zusätzlich wird neben dem DI-Wasser-HCl-Gemisch Ozon in Gasform eingebracht. Wenn keine Verunreinigung durch Edelmetalle erwartet wird, ist Ozon nicht erforderlich.

Nachhaltigkeit

Green Goals. Yellow Solutions.

Technologie ist allgegenwertig, sie prägt unser tägliches Leben und macht es komfortabler. Siconnex definiert den Fortschritt neu, indem es Technologie und Nachhaltigkeit zusammenführt und nicht länger als Gegensätze darstellt. Nachhaltige Technologie für den Fortschritt von morgen. Green Goals. Yellow Solutions. Green Goals. Yellow Solutions.

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